EITAN N. SHAULY / EDITED VOLUME
晶圆厂设计规则
Design Rules in a Semiconductor Foundry
不是背下一组数字，而是理解每条规则为什么存在、受哪些变量影响，以及如何成为可验证的工程判断。
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01设计规则的定义、制定与缩放首批重点摘读 · pp.1–68
§1.2 几何规则 · §1.3 规则制定 · §1.9–1.11 RDR/GDR/DP
把工艺能力转为几何约束，并用验证闭环检查约束是否合理。
已核对副本：PDF 第24–91页。02FEOL 拓扑设计规则目录已映射，专题待展开 · pp.69–150
§2.1.7 栅极图形 · §2.1.8 Poly cut
从 line-end、栅极邻近效应与 cut mask 进入二维轮廓建模。
已核对副本：PDF 第92–173页。03BEOL 拓扑设计规则首批重点摘读 · pp.151–248
§3.1.2.2 接触包围 · §3.1.2.5 接触 OPC / MEEF
接触孔邻域、二维 MEEF、包围量与电阻/漏电的连接。
已核对副本：PDF 第174–271页。04覆盖率规则与插入工具平坦化关联已摘读 · pp.249–336
§4.1 平坦化 · §4.4 局部/全局 · §4.9 Dummy fill
密度、CMP 形貌、焦点与后续图形化的跨步骤反馈。
已核对副本：PDF 第272–359页。05模拟模块设计规则与建模目录已映射，专题待展开 · pp.337–404
有源器件 · 电阻 · 电容
把印制形貌变化转为模拟器件匹配与寄生参数问题。
已核对副本：PDF 第360–427页。06应力相关版图规则与建模目录已映射，专题待展开 · pp.405–448
LOD · cESL · eSiGe
分辨图形尺寸造成的电性变化与应力/材料机制。
已核对副本：PDF 第428–471页。07存储器专用设计规则目录已映射，专题待展开 · pp.449–510
OTP · Y-flash · SRAM
规则豁免、周期阵列模型与边界图形验证。
已核对副本：PDF 第472–533页。08平面 CMOS 工艺流程Iso/dense 关联已摘读 · pp.511–680
§8.8 栅极 DP · §8.8.3 Iso/dense DI/FI
给每个模型明确工艺终点，区分光刻与刻蚀贡献。
已核对副本：PDF 第534–703页。09可靠性驱动的设计规则目录已映射，专题待展开 · pp.681–790
TDDB · HCI · PID · 资格验证
解释为什么光学可印制性只是规则制定的一部分。
已核对副本：PDF 第704–813页。可直接阅读的知识专题
串联案例设计规则是工艺能力的接口
把一个最小尺寸追溯到它防止的失效、覆盖的工艺分布和验证证据，才能判断这条规则能否调整。
约12分钟 DR-02把几何规则转为可计算量
WIDTH、SPACE、DISTANCE、ENCLOSURE、EXTENSION 和 OVERLAP 对应不同的边对与拓扑关系，不能只看距离数值。
约10分钟 CL-01包围规则与 EPE 误差预算
名义包围量要同时容纳相对套刻、两层边缘变化与系统偏差。几何最坏值与统计分位数应分别计算。
约20分钟 CL-02前向模型：先定义预测终点
任何 OPC 模型都要说明预测的是空中像、显影后轮廓还是刻蚀后轮廓；终点混用会把补偿写进错误的位置。
约18分钟 CL-03分辨率、pitch 与 k1 的边界
CD≈k1λ/NA 是尺度关系。它不能单独给出任意二维图形的工艺窗口，更不能把技术节点名当成 CD。
约12分钟 CL-04CD 与 EPE：宽度误差不等于位置误差
两条边一起平移，CD 可以完全不变，EPE 却同时增大。验证策略应同时约束尺寸和位置。
约15分钟 CL-05Iso/dense：把光刻与刻蚀分开诊断
同样的画图 CD 置于不同邻域，DI 和 FI 的差异可能不同。用终点分解避免对 OPC 过度归因。
约18分钟 CL-06MEEF：从标量到二维灵敏度矩阵
先统一 mask / wafer 尺度，再求灵敏度；矩形接触孔的宽、长响应可能耦合。
约22分钟 CL-07模型校准：覆盖比一个 RMS 更重要
校准指标回答拟合程度；保留的验证图形和工艺角落，才帮助判断模型能否用于新的工程决策。
约22分钟 CL-08工艺窗口：看多个图形的共同可行域
单一图形在标称条件合格，只是一个点。工程上更关心所有关键图形在焦距和剂量变化下共同满足标准的区域。
约20分钟 CL-09接触孔 OPC：邻域不是一个附加标签
孔的尺寸、邻居数量与距离、照明和 SRAF 可放置空间一起决定修正方案；同一个 bias 不能无条件外推。
约20分钟 CL-10OPC 迭代：目标函数决定修正方向
从预测到修正，需要定义误差、更新灵敏度、步长和约束。优化器不会自动知道哪些工程风险更重要。
约20分钟 DR-03LELE：从 spacing 到冲突图
两色分解将部分几何约束转为图着色问题；无 stitch 条件下，奇环是两色不可行的证据。
约18分钟 DR-04密度 → CMP → 形貌 → 焦点
覆盖率不仅服务于版图均匀性；平坦化后的形貌会影响后续图形化，需要沿工艺链追踪。
约16分钟